NVMFS5C604NLAFT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 215490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 208.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C604NLAFT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 287A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVMFS5C604NLAFT1G за ціною від 175.43 грн до 486.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFS5C604NLAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVMFS5C604NLAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMFS5C604NLAFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVMFS5C604NLAFT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 6951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVMFS5C604NLAFT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6 60V HEFET |
на замовлення 5013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMFS5C604NLAFT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 287A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 6801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMFS5C604NLAFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 215770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVMFS5C604NLAFT1G | Виробник : ONSEMI |
NVMFS5C604NLAFT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |