Продукція > ONSEMI > NVMFS5C604NLAFT1G
NVMFS5C604NLAFT1G

NVMFS5C604NLAFT1G onsemi

nvmfs5c604nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 215490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+203.45 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C604NLAFT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 287A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVMFS5C604NLAFT1G за ціною від 183.40 грн до 473.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G ON Semiconductor nvmfs5c604nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+265.53 грн
3000+262.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G ON Semiconductor nvmfs5c604nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+268.05 грн
3000+265.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G onsemi nvmfs5c604nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 215770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.47 грн
10+310.65 грн
100+227.85 грн
500+183.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G onsemi NVMFS5C604NL_D-2319778.pdf MOSFETs T6 60V HEFET
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G ONSEMI ONSM-S-A0013277168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NLAFT1G ONSEMI ONSM-S-A0013277168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G ONN nvmfs5c604nl-d.pdf
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G nvmfs5c604nl-d.pdf
NVMFS5C604NLAFT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+265.53 грн
3000+262.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G nvmfs5c604nl-d.pdf
NVMFS5C604NLAFT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 40A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+268.05 грн
3000+265.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G nvmfs5c604nl-d.pdf
NVMFS5C604NLAFT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 287A 5DFN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 287A (Tc)
FET Type: N-Channel
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 215770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.47 грн
10+310.65 грн
100+227.85 грн
500+183.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G NVMFS5C604NL_D-2319778.pdf
NVMFS5C604NLAFT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V HEFET
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G ONSM-S-A0013277168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS5C604NLAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 0.0012 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G ONSM-S-A0013277168-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS5C604NLAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C604NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 287 A, 930 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 287A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 930µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C604NLAFT1G nvmfs5c604nl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.