Технічний опис NVMFS5C604NLT1G ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 203A, Power dissipation: 100W, Case: DFN5x6, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 1.2mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NVMFS5C604NLT1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NVMFS5C604NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 203A Power dissipation: 100W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
NVMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN |
товар відсутній |
||
NVMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN |
товар відсутній |
||
NVMFS5C604NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 203A Power dissipation: 100W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |