NVMFS5C612NLAFT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 194.47 грн |
| 500+ | 153.72 грн |
| 1000+ | 132.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C612NLAFT1G ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVMFS5C612NLAFT1G за ціною від 106.77 грн до 319.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVMFS5C612NLAFT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 167W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm |
на замовлення 1415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
NVMFS5C612NLAFT1G | onsemi |
MOSFETs NFET SO8FL 60V |
на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NVMFS5C612NLAFT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFS5C612NLAFT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 278.05 грн |
| 10+ | 229.83 грн |
| 100+ | 194.47 грн |
| 500+ | 153.72 грн |
| 1000+ | 132.94 грн |
| NVMFS5C612NLAFT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 60V
MOSFETs NFET SO8FL 60V
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 319.84 грн |
| 10+ | 209.12 грн |
| 100+ | 129.50 грн |
| 500+ | 107.45 грн |
| 1500+ | 106.77 грн |
| NVMFS5C612NLAFT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


