Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVMFS5C612NLAFT1G
NVMFS5C612NLAFT1G

NVMFS5C612NLAFT1G ON Semiconductor

nvmfs5c612nld.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+270.87 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C612NLAFT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 167W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm.

Інші пропозиції NVMFS5C612NLAFT1G за ціною від 138.34 грн до 366.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G ON Semiconductor nvmfs5c612nld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+277.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G onsemi nvmfs5c612nl-d.pdf Description: NFET SO8FL 60V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+366.31 грн
10+234.27 грн
50+183.24 грн
100+156.57 грн
500+138.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G onsemi D5DF5BCEDE251FB824383D4AA2D29DFA677EB81568C6E158355169C002A8613D.pdf MOSFETs NFET SO8FL 60V
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G ONSEMI 2907324.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G ONSEMI 2907324.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G ON Semiconductor nvmfs5c612nl-d.pdf
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G nvmfs5c612nld.pdf
NVMFS5C612NLAFT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+277.48 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G nvmfs5c612nl-d.pdf
NVMFS5C612NLAFT1G
Виробник: onsemi
Description: NFET SO8FL 60V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+366.31 грн
10+234.27 грн
50+183.24 грн
100+156.57 грн
500+138.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G D5DF5BCEDE251FB824383D4AA2D29DFA677EB81568C6E158355169C002A8613D.pdf
NVMFS5C612NLAFT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs NFET SO8FL 60V
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G 2907324.pdf
NVMFS5C612NLAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G 2907324.pdf
NVMFS5C612NLAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00136 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 167W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00136ohm
на замовлення 2416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLAFT1G nvmfs5c612nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.