Продукція > ONSEMI > NVMFS5C612NLT1G
NVMFS5C612NLT1G

NVMFS5C612NLT1G onsemi


nvmfs5c612nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1122000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+155.98 грн
3000+141.44 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C612NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C612NLT1G за ціною від 125.24 грн до 384.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C612NLT1G NVMFS5C612NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c612nld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 152895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
165+187.72 грн
500+178.44 грн
1000+168.13 грн
10000+153.17 грн
Мінімальне замовлення: 165
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1G NVMFS5C612NLT1G Виробник : onsemi nvmfs5c612nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 36A/235A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1122000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.35 грн
10+243.98 грн
100+197.35 грн
500+164.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1G NVMFS5C612NLT1G Виробник : onsemi 240E2DF8278D048404F78E32F8BF2A053AEBDDF1E242782DF01DFB8DFB8410F2.pdf MOSFETs NFET SO8FL 60V 235A 1.5MO
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+384.89 грн
10+251.17 грн
100+161.14 грн
500+149.68 грн
1000+125.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1G NVMFS5C612NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c612nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1G NVMFS5C612NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c612nld.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C612NLT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c612nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250A; Idm: 900A; 83W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 91nC
On-state resistance: 1.36mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 83W
Drain current: 250A
Case: DFN5
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.