NVMFS5C612NWFT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 171.66 грн |
| 500+ | 150.20 грн |
| 1000+ | 130.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C612NWFT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVMFS5C612NWFT1G за ціною від 130.16 грн до 404.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFS5C612NWFT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.00135 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00135ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMFS5C612NWFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMFS5C612NWFT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 225A 1.65mOhms |
на замовлення 7401 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVMFS5C612NWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
NVMFS5C612NWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVMFS5C612NWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 34A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NVMFS5C612NWFT1G | Виробник : ONSEMI |
NVMFS5C612NWFT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
NVMFS5C612NWFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 34A/225A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |