Продукція > ONSEMI > NVMFS5C628NLT1G
NVMFS5C628NLT1G

NVMFS5C628NLT1G ONSEMI

nvmfs5c628nl-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+114.71 грн
500+88.89 грн
1000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C628NLT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C628NLT1G за ціною від 80.64 грн до 268.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c628nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C628NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.002 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+223.65 грн
10+159.28 грн
100+114.71 грн
500+88.89 грн
1000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G Виробник : onsemi nvmfs5c628nl-d.pdf MOSFETs TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 26082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.74 грн
10+160.75 грн
100+102.26 грн
500+86.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G Виробник : onsemi nvmfs5c628nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.19 грн
10+168.52 грн
100+117.74 грн
500+90.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c628nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c628nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c628nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c628nl-d.pdf NVMFS5C628NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NLT1G NVMFS5C628NLT1G Виробник : onsemi nvmfs5c628nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.