Продукція > ONSEMI > NVMFS5C628NT1G
NVMFS5C628NT1G

NVMFS5C628NT1G onsemi

nvmfs5c628n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+103.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C628NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C628NT1G за ціною від 87.72 грн до 262.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C628NT1G NVMFS5C628NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c628n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+144.42 грн
500+104.22 грн
1000+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1G NVMFS5C628NT1G Виробник : onsemi NVMFS5C628N_D-2319867.pdf MOSFETs T6 60V SG
на замовлення 12300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.46 грн
10+181.90 грн
25+151.55 грн
100+116.24 грн
250+115.50 грн
500+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1G NVMFS5C628NT1G Виробник : onsemi nvmfs5c628n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.84 грн
10+184.07 грн
100+131.03 грн
500+103.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1G NVMFS5C628NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c628n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C628NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+262.44 грн
10+194.77 грн
100+144.42 грн
500+104.22 грн
1000+87.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1G NVMFS5C628NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c628n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c628n-d.pdf NVMFS5C628NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.