Продукція > ONSEMI > NVMFS5C628NWFT1G
NVMFS5C628NWFT1G

NVMFS5C628NWFT1G ONSEMI

nvmfs5c628n-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C628NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+84.18 грн
500+74.26 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C628NWFT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C628NWFT1G за ціною від 64.87 грн до 245.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C628NWFT1G NVMFS5C628NWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c628n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C628NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 150 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.96 грн
10+117.19 грн
100+84.18 грн
500+74.26 грн
1000+64.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1G NVMFS5C628NWFT1G Виробник : onsemi NVMFS5C628N_D-2319867.pdf MOSFETs 60 V 3.0 mOhms 150 A
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.89 грн
10+160.75 грн
100+101.52 грн
500+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1G NVMFS5C628NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c628n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.91 грн
10+158.78 грн
100+113.28 грн
500+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1G NVMFS5C628NWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c628n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1G NVMFS5C628NWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c628n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1G NVMFS5C628NWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c628n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c628n-d.pdf NVMFS5C628NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C628NWFT1G NVMFS5C628NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c628n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 135µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.