Продукція > ONSEMI > NVMFS5C638NLT1G
NVMFS5C638NLT1G

NVMFS5C638NLT1G ONSEMI

2620021.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+105.83 грн
500+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C638NLT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C638NLT1G за ціною від 69.74 грн до 226.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Виробник : onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.52 грн
10+128.81 грн
100+90.84 грн
500+74.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Виробник : onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
на замовлення 6245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+220.96 грн
10+146.04 грн
100+89.98 грн
500+74.02 грн
1500+70.32 грн
3000+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Виробник : ONSEMI 2620021.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 0.0026 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.30 грн
10+148.97 грн
100+105.83 грн
500+79.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G транзистори
Код товару: 200475
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c638nl-d.pdf NVMFS5C638NLT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G Виробник : onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.