NVMFS5C638NLT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 120.90 грн |
| 500+ | 94.80 грн |
| 1000+ | 79.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C638NLT1G ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS5C638NLT1G за ціною від 69.46 грн до 260.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFS5C638NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVMFS5C638NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN |
на замовлення 3256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVMFS5C638NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 133A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVMFS5C638NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
NVMFS5C638NLT1G транзистори Код товару: 200475
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
NVMFS5C638NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
NVMFS5C638NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NVMFS5C638NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NVMFS5C638NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NVMFS5C638NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 133A Pulsed drain current: 811A Power dissipation: 50W Case: DFN5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |