NVMFS5C638NLT1G транзистори


Код товару: 200475
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції NVMFS5C638NLT1G транзистори за ціною від 71.45 грн до 219.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.71 грн
10+130.28 грн
100+90.26 грн
500+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G ONSEMI nvmfs5c638nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Power dissipation: 50W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+219.47 грн
10+132.51 грн
100+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G ONSEMI 2620021.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G NVMFS5C638NLT1G ONSEMI 2620021.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G nvmfs5c638nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.71 грн
10+130.28 грн
100+90.26 грн
500+71.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G nvmfs5c638nl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Power dissipation: 50W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+219.47 грн
10+132.51 грн
100+94.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G nvmfs5c638nl-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 S08FL SIN
на замовлення 3551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G 2620021.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLT1G 2620021.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C638NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 133 A, 2600 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 133A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

XT60NE-F.G.B чорний роз'єм з гайками (Amass)
Код товару: 204136
18 Додати до обраних Обраний товар
Виробник: AMASS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єми живлення чорний DC. Контакт "мама". Кількість контактів: 2. Монтаж на корпус "внутрішній", провід максимум 12AWG. Максимальний струм: 35A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту: IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Вилка
К-сть контактів: 2
Серія роз’єма: XT60
Монтаж: На корпус
у наявності: 2619 шт
  • 2076 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 223 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 117 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 193 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 8000 шт
  • 2000 шт - очікується 27.10.2026
  • 4000 шт - очікується 24.11.2026
  • 2000 шт - очікується 17.01.2027
КількістьЦіна без ПДВ
1+43.00 грн
10+38.70 грн
100+34.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Перемикач KCD1-4-201 (чорний корпус червоний Перемикач)
Код товару: 200768
1 Додати до обраних Обраний товар
KCD1-4-201-datasheet.pdf
Виробник: Daier
Пасивні компоненти > Перемикачі, тумблери
Група: Перемикач Rocker
Монтаж: Клеми з отвором
Габарити: 21x15x28,4 мм
Опис: Перемикач Rocker ON-OFF з фіксацією, 4 контакти, без підсвічування, на на защіпках, колір чорний, червона клавіша. Монтажний отвір: 19,2x13 mm.
Кількість положень: 2
Навантажувальна здатність: 6 А / 250 VAC
у наявності: 166 шт
  • 124 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 29 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
2+15.00 грн
10+12.00 грн
100+10.50 грн
1000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XT60EW-M.G.B чорний роз'єм(Amass)
Код товару: 195470
27 Додати до обраних Обраний товар
Amas-cat1.pdf
Виробник: AMASS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єм живлення чорний DC герметичний на корпус. Контакт "тато", корпус "мама". Кількість контактів: 2. Провід максимум 12AWG. Максимальний струм: 35A. Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP65. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Розетка
К-сть контактів: 2
Серія роз’єма: XT60
Монтаж: На корпус
у наявності: 41077 шт
  • 41077 шт - склад
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується 25.12.2026
КількістьЦіна без ПДВ
1+43.00 грн
10+35.80 грн
100+29.99 грн
1000+26.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XT60H-F.G.Y жовтий роз'єм (Amass)
Код товару: 179483
33 Додати до обраних Обраний товар
Amas-cat1.pdf
Виробник: AMASS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Низьковольтного живлення
Опис: Роз'єм живлення жовтий DC. Контакт "мама", корпус "тато". Кількість контактів: 2. На провід максимум 12AWG. Максимальний струм: 35A (залежить від перерізу проводу та температури). Номінальна напруга: 500В. Рівень захисту:IP40. Робоча температура: -20...120°C
Вилка/гніздо: Вилка
К-сть контактів: 2
Серія роз’єма: XT60
Монтаж: На провід
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+27.50 грн
10+23.10 грн
100+19.36 грн
1000+17.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.