Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVMFS5C638NLWFT1G
NVMFS5C638NLWFT1G

NVMFS5C638NLWFT1G ON Semiconductor

nvmfs5c638nl-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
96+134.31 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C638NLWFT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C638NLWFT1G за ціною від 98.41 грн до 294.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C638NLWFT1G NVMFS5C638NLWFT1G Виробник : onsemi NVMFS5C638NL-D.PDF MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.27 грн
10+200.08 грн
100+128.32 грн
500+118.09 грн
1000+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLWFT1G NVMFS5C638NLWFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.65 грн
10+186.56 грн
100+131.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLWFT1G NVMFS5C638NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLWFT1G NVMFS5C638NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLWFT1G NVMFS5C638NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c638nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLWFT1G NVMFS5C638NLWFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c638nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C638NLWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs5c638nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 811A
Power dissipation: 50W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.