NVMFS5C638NLWFT1G ON Semiconductor
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 129.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5C638NLWFT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS5C638NLWFT1G за ціною від 99.04 грн до 310.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFS5C638NLWFT1G | Виробник : onsemi |
 MOSFETs 60V 3.0 MOHM T6 SO-8FL DUAL DFN-8 |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMFS5C638NLWFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVMFS5C638NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1395 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
NVMFS5C638NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVMFS5C638NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVMFS5C638NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVMFS5C638NLWFT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |