Продукція > ONSEMI > NVMFS5C645NLWFAFT1G
NVMFS5C645NLWFAFT1G

NVMFS5C645NLWFAFT1G onsemi

nvmfs5c645nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.17 грн
10+163.81 грн
100+114.53 грн
500+87.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C645NLWFAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 22A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C645NLWFAFT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS5C645NLWFAFT1G NVMFS5C645NLWFAFT1G onsemi nvmfs5c645nl-d.pdf MOSFETs T6 60V SO8FL
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C645NLWFAFT1G NVMFS5C645NLWFAFT1G ONSEMI nvmfs5c645nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C645NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C645NLWFAFT1G NVMFS5C645NLWFAFT1G ONSEMI nvmfs5c645nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C645NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C645NLWFAFT1G nvmfs5c645nl-d.pdf
NVMFS5C645NLWFAFT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V SO8FL
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C645NLWFAFT1G nvmfs5c645nl-d.pdf
NVMFS5C645NLWFAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C645NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C645NLWFAFT1G nvmfs5c645nl-d.pdf
NVMFS5C645NLWFAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C645NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.