Продукція > ONSEMI > NVMFS5C670NLAFT1G
NVMFS5C670NLAFT1G

NVMFS5C670NLAFT1G onsemi


NVMFS5C670NL_D-2319501.pdf Виробник: onsemi
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 525-534 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.73 грн
10+ 99.04 грн
100+ 68.76 грн
250+ 63.36 грн
500+ 57.82 грн
1000+ 49.47 грн
1500+ 47.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C670NLAFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 61W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C670NLAFT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS5C670NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c670nl-d.pdf
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C670NLAFT1G NVMFS5C670NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c670nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS5C670NLAFT1G NVMFS5C670NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c670nl-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C670NLAFT1G NVMFS5C670NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c670nl-d.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 53µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній