Продукція > ONSEMI > NVMFS5H600NLT1G
NVMFS5H600NLT1G

NVMFS5H600NLT1G onsemi

NVMFS5H600NL-D.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.47 грн
10+174.81 грн
100+123.14 грн
500+104.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5H600NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5H600NLT1G за ціною від 96.92 грн до 287.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5H600NLT1G NVMFS5H600NLT1G Виробник : onsemi NVMFS5H600NL-D.PDF MOSFETs 60V 0.8MOHM T8 SINGLE S08FL
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.52 грн
10+187.09 грн
100+114.22 грн
500+103.84 грн
1000+96.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5H600NLT1G NVMFS5H600NLT1G Виробник : onsemi NVMFS5H600NL-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5H600NLT1G Виробник : ONSEMI NVMFS5H600NL-D.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 250A; Idm: 900A; 63W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 63W
Case: DFN5
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 1.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 250A
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.