NVMFS5H663NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 39.35 грн |
| 3000+ | 35.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS5H663NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVMFS5H663NLT1G за ціною від 32.14 грн до 128.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFS5H663NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMFS5H663NLT1G | onsemi |
MOSFETs T8 60V LOW COSS |
на замовлення 2221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMFS5H663NLT1G | ON Semiconductor |
MOSFET T8 60V LOW COSS |
на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFS5H663NLT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 16.2A/67A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1131 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 56µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.2A (Ta), 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.40 грн |
| 10+ | 70.55 грн |
| 100+ | 54.88 грн |
| 500+ | 43.66 грн |
| NVMFS5H663NLT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 60V LOW COSS
MOSFETs T8 60V LOW COSS
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 128.81 грн |
| 10+ | 81.68 грн |
| 100+ | 46.49 грн |
| 500+ | 35.09 грн |
| 1000+ | 33.90 грн |
| 1500+ | 32.14 грн |
| NVMFS5H663NLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET T8 60V LOW COSS
MOSFET T8 60V LOW COSS
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.