Продукція > ONSEMI > NVMFS6D1N08HT1G
NVMFS6D1N08HT1G

NVMFS6D1N08HT1G onsemi

nvmfs6d1n08h-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T8 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+42.04 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6D1N08HT1G onsemi

Description: T8 80V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6D1N08HT1G за ціною від 41.36 грн до 166.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS6D1N08HT1G NVMFS6D1N08HT1G ON Semiconductor nvmfs6d1n08h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 17A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.46 грн
10+89.64 грн
100+79.77 грн
500+62.50 грн
1000+50.66 грн
1500+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6D1N08HT1G NVMFS6D1N08HT1G onsemi nvmfs6d1n08h-d.pdf Description: T8 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.92 грн
10+94.33 грн
50+71.37 грн
100+60.03 грн
500+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6D1N08HT1G NVMFS6D1N08HT1G onsemi nvmfs6d1n08h-d.pdf MOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+166.58 грн
10+79.31 грн
100+61.82 грн
500+49.24 грн
1000+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6D1N08HT1G nvmfs6d1n08h-d.pdf
NVMFS6D1N08HT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 17A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+144.46 грн
10+89.64 грн
100+79.77 грн
500+62.50 грн
1000+50.66 грн
1500+44.77 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6D1N08HT1G nvmfs6d1n08h-d.pdf
NVMFS6D1N08HT1G
Виробник: onsemi
Description: T8 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 125µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.92 грн
10+94.33 грн
50+71.37 грн
100+60.03 грн
500+47.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6D1N08HT1G nvmfs6d1n08h-d.pdf
NVMFS6D1N08HT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V 1 PART PROLI FERATI
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.58 грн
10+79.31 грн
100+61.82 грн
500+49.24 грн
1000+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.