Продукція > ONSEMI > NVMFS6H800NLT1G
NVMFS6H800NLT1G

NVMFS6H800NLT1G onsemi

nvmfs6h800nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+150.79 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H800NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFS6H800NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 224 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 224A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 214W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm.

Інші пропозиції NVMFS6H800NLT1G за ціною від 166.79 грн до 393.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NLT1G ONSEMI nvmfs6h800nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+363.41 грн
10+264.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NLT1G onsemi nvmfs6h800nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.83 грн
10+253.37 грн
100+181.99 грн
500+166.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NLT1G onsemi nvmfs6h800nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL NFET
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NLT1G ONSEMI NVMFS6H800NL-D.PDF Description: ONSEMI - NVMFS6H800NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 224 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G ON Semiconductor nvmfs6h800nl-d.pdf
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
NVMFS6H800NLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+363.41 грн
10+264.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
NVMFS6H800NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+393.83 грн
10+253.37 грн
100+181.99 грн
500+166.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
NVMFS6H800NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL NFET
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NL-D.PDF
NVMFS6H800NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H800NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 224 A, 1900 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 224A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 214W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
на замовлення 19500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.