Продукція > ONSEMI > NVMFS6H800NLT1G
NVMFS6H800NLT1G

NVMFS6H800NLT1G onsemi

nvmfs6h800nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+149.37 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H800NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVMFS6H800NLT1G за ціною від 152.24 грн до 390.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NLT1G onsemi nvmfs6h800nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL NFET
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.50 грн
10+256.94 грн
100+179.03 грн
500+171.98 грн
1000+152.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G NVMFS6H800NLT1G onsemi nvmfs6h800nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.12 грн
10+250.98 грн
100+180.28 грн
500+165.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G ONSEMI nvmfs6h800nl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+359.98 грн
10+262.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G ON Semiconductor nvmfs6h800nl-d.pdf
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
NVMFS6H800NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL NFET
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+372.50 грн
10+256.94 грн
100+179.03 грн
500+171.98 грн
1000+152.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
NVMFS6H800NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 330µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 214W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 224A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+390.12 грн
10+250.98 грн
100+180.28 грн
500+165.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 224A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 107W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+359.98 грн
10+262.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NLT1G nvmfs6h800nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 903 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.