Продукція > ONSEMI > NVMFS6H800NT1G
NVMFS6H800NT1G

NVMFS6H800NT1G onsemi

nvmfs6h800n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 273000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+172.06 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H800NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H800NT1G за ціною від 164.88 грн до 451.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+197.92 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ONSEMI 2619990.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+245.72 грн
500+224.85 грн
1000+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : onsemi NVMFS6H800N-D.PDF MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+420.03 грн
10+285.79 грн
100+182.40 грн
500+178.42 грн
1500+164.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : onsemi nvmfs6h800n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 273717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.87 грн
10+285.50 грн
100+205.63 грн
500+190.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ONSEMI 2619990.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+451.23 грн
10+341.33 грн
100+245.72 грн
500+224.85 грн
1000+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G
Код товару: 177250
Додати до обраних Обраний товар

nvmfs6h800n-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.