Продукція > ONSEMI > NVMFS6H800NT1G
NVMFS6H800NT1G

NVMFS6H800NT1G onsemi

nvmfs6h800n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+176.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H800NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H800NT1G за ціною від 157.04 грн до 440.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h800n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+218.70 грн
500+186.99 грн
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : onsemi NVMFS6H800N_D-2319731.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.01 грн
10+303.73 грн
100+190.54 грн
500+164.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h800n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H800NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 0.0018 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+440.70 грн
10+303.70 грн
100+218.70 грн
500+186.99 грн
1000+157.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : onsemi nvmfs6h800n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+440.88 грн
10+284.16 грн
100+204.64 грн
500+160.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G
Код товару: 177250
Додати до обраних Обраний товар

nvmfs6h800n-d.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h800n-d.pdf NVMFS6H800NT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H800NT1G NVMFS6H800NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 28A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.