Продукція > ONSEMI > NVMFS6H801NT1G
NVMFS6H801NT1G

NVMFS6H801NT1G onsemi

nvmfs6h801n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+76.16 грн
3000+71.69 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H801NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVMFS6H801NT1G за ціною від 82.35 грн до 231.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G onsemi nvmfs6h801n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.69 грн
10+145.28 грн
100+101.26 грн
500+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G onsemi NVMFS6H801N_D-2319870.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G ONSEMI 2620012.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1G ON Semiconductor nvmfs6h801n-d.pdf
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1G nvmfs6h801n-d.pdf
NVMFS6H801NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.69 грн
10+145.28 грн
100+101.26 грн
500+82.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801N_D-2319870.pdf
NVMFS6H801NT1G
Виробник: onsemi
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1G 2620012.pdf
NVMFS6H801NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NT1G nvmfs6h801n-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.