NVMFS6H801NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 81.38 грн |
| 3000+ | 76.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS6H801NT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS6H801NT1G за ціною від 82.11 грн до 224.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFS6H801NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 157A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVMFS6H801NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET TRENCH 8 80V NFET |
на замовлення 3949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMFS6H801NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVMFS6H801NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |