Продукція > ONSEMI > NVMFS6H801NWFT1G
NVMFS6H801NWFT1G

NVMFS6H801NWFT1G onsemi

nvmfs6h801n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+84.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H801NWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H801NWFT1G за ціною від 81.46 грн до 254.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H801NWFT1G NVMFS6H801NWFT1G Виробник : onsemi NVMFS6H801N_D-1814598.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.48 грн
10+153.61 грн
100+96.88 грн
500+81.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NWFT1G NVMFS6H801NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h801n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.84 грн
10+160.24 грн
100+111.68 грн
500+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H801NWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h801n-d.pdf NVMFS6H801NWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.