Продукція > ONSEMI > NVMFS6H818NLT1G
NVMFS6H818NLT1G

NVMFS6H818NLT1G onsemi

nvmfs6h818nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+149.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H818NLT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 140W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 140W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.

Інші пропозиції NVMFS6H818NLT1G за ціною від 165.20 грн до 421.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G onsemi nvmfs6h818nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
на замовлення 33269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.69 грн
10+270.74 грн
50+212.79 грн
100+182.18 грн
500+165.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G onsemi nvmfs6h818nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G nvmfs6h818nl-d.pdf
NVMFS6H818NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
на замовлення 33269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+421.69 грн
10+270.74 грн
50+212.79 грн
100+182.18 грн
500+165.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G nvmfs6h818nl-d.pdf
NVMFS6H818NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS6H818NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS6H818NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.