Продукція > ONSEMI > NVMFS6H818NLT1G
NVMFS6H818NLT1G

NVMFS6H818NLT1G onsemi

nvmfs6h818nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+147.62 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H818NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H818NLT1G за ціною від 140.87 грн до 315.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G Виробник : onsemi nvmfs6h818nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.26 грн
10+ 230.88 грн
100+ 186.76 грн
500+ 155.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G Виробник : onsemi NVMFS6H818NL_D-2319689.pdf MOSFET T8 80V LL SO8FL
на замовлення 2901 шт:
термін постачання 1055-1064 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+315.45 грн
10+ 266.41 грн
25+ 223.65 грн
100+ 188.27 грн
250+ 180.92 грн
500+ 164.9 грн
1000+ 140.87 грн
NVMFS6H818NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h818nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h818nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h818nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній