Продукція > ONSEMI > NVMFS6H818NLT1G
NVMFS6H818NLT1G

NVMFS6H818NLT1G ONSEMI

ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H818NLT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 140W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 140W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.

Інші пропозиції NVMFS6H818NLT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G onsemi MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G NVMFS6H818NLT1G ONSEMI ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G
NVMFS6H818NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLT1G ONSM-S-A0010104202-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS6H818NLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0032 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 140W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.