NVMFS6H818NLT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 146.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS6H818NLT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 135A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 140W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVMFS6H818NLT1G за ціною від 120.67 грн до 331.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFS6H818NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 140W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVMFS6H818NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVMFS6H818NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 135 A, 0.0027 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 135A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMFS6H818NLT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 3.2mohm 135 A - NVMFS6H818NL DFN5 (Pb-Free) |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVMFS6H818NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
NVMFS6H818NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVMFS6H818NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 22A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NVMFS6H818NLT1G | Виробник : ONSEMI |
NVMFS6H818NLT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |