Продукція > ONSEMI > NVMFS6H818NLWFT1G
NVMFS6H818NLWFT1G

NVMFS6H818NLWFT1G onsemi

nvmfs6h818nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+149.11 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H818NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H818NLWFT1G за ціною від 137.78 грн до 380.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H818NLWFT1G NVMFS6H818NLWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h818nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 22A/135A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 135A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3844 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.07 грн
10+240.86 грн
100+175.93 грн
500+137.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1G NVMFS6H818NLWFT1G Виробник : onsemi NVMFS6H818NL_D-2319689.pdf MOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, 80 V, 3.2mohm 135 A - NVMFS6H818NL DFN5 (Pb-Free, Wettable Flanks)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+380.22 грн
10+276.65 грн
25+238.36 грн
100+172.15 грн
500+144.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h818nl-d.pdf
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h818nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 22A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NLWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h818nl-d.pdf NVMFS6H818NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.