Продукція > ONSEMI > NVMFS6H818NT1G
NVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G ONSEMI

2571970.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+120.57 грн
500+93.80 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H818NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm.

Інші пропозиції NVMFS6H818NT1G за ціною від 76.11 грн до 216.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G On Semiconductor nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+157.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G ONSEMI 2571970.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.07 грн
10+155.60 грн
100+120.57 грн
500+93.80 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G onsemi nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+216.70 грн
10+144.54 грн
100+96.36 грн
500+85.19 грн
1000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G ON Semiconductor nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF
NVMFS6H818NT1G
Виробник: On Semiconductor
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 Транзистори
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
2+157.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G 2571970.pdf
NVMFS6H818NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+215.07 грн
10+155.60 грн
100+120.57 грн
500+93.80 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF
NVMFS6H818NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+216.70 грн
10+144.54 грн
100+96.36 грн
500+85.19 грн
1000+79.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.