NVMFS6H818NT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 116.37 грн |
| 500+ | 78.93 грн |
| 1000+ | 71.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS6H818NT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVMFS6H818NT1G за ціною від 71.45 грн до 224.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFS6H818NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs TRENCH 8 80V NFET |
на замовлення 1978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NVMFS6H818NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 8920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| NVMFS6H818NT1G | Виробник : On Semiconductor |
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||
| NVMFS6H818NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 87A Power dissipation: 68W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 900A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
NVMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
NVMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NVMFS6H818NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 87A Power dissipation: 68W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 900A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |