Продукція > ONSEMI > NVMFS6H818NT1G
NVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G ONSEMI

2571970.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.31 грн
500+87.91 грн
1000+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H818NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 123A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVMFS6H818NT1G за ціною від 74.57 грн до 226.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G Виробник : ONSEMI 2571970.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H818NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.37 грн
10+131.34 грн
100+108.31 грн
500+87.91 грн
1000+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G Виробник : onsemi nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.18 грн
10+152.13 грн
100+106.44 грн
500+94.27 грн
1500+86.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF
на замовлення 8920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G Виробник : On Semiconductor nvmfs6h818n-d.pdf NVMFS6H818N-D.PDF SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
на замовлення 8 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G Виробник : onsemi nvmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G Виробник : onsemi nvmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NT1G NVMFS6H818NT1G Виробник : onsemi NVMFS6H818N-D.PDF Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.