на замовлення 6551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 198.39 грн |
| 10+ | 157.36 грн |
| 100+ | 112.26 грн |
| 250+ | 103.62 грн |
| 500+ | 93.66 грн |
| 1000+ | 80.38 грн |
| 1500+ | 77.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS6H818NT1G onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5, Mounting: SMD, Drain current: 87A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 80V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: DFN5, On-state resistance: 3.7mΩ, Pulsed drain current: 900A, Power dissipation: 68W, Gate charge: 46nC, Polarisation: unipolar, кількість в упаковці: 1500 шт.
Інші пропозиції NVMFS6H818NT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFS6H818NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 8920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NVMFS6H818NT1G | Виробник : On Semiconductor |
SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
| NVMFS6H818NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5 Mounting: SMD Drain current: 87A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DFN5 On-state resistance: 3.7mΩ Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 68W Gate charge: 46nC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||
 |
NVMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN |
товар відсутній |
|
|
|
NVMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN |
товар відсутній |
|
 |
NVMFS6H818NT1G | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 80 |
товар відсутній |
|
| NVMFS6H818NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 87A; Idm: 900A; 68W; DFN5 Mounting: SMD Drain current: 87A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: DFN5 On-state resistance: 3.7mΩ Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 68W Gate charge: 46nC Polarisation: unipolar |
товар відсутній |