Продукція > ONSEMI > NVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1G

NVMFS6H818NWFT1G onsemi

nvmfs6h818n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+107.43 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H818NWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H818NWFT1G за ціною від 102.61 грн до 306.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h818n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+140.68 грн
500+127.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h818n-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+248.96 грн
10+184.17 грн
100+140.68 грн
500+127.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h818n-d.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.26 грн
10+187.05 грн
100+123.13 грн
500+108.69 грн
1500+102.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.67 грн
10+194.05 грн
100+136.48 грн
500+105.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h818n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H818NWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h818n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 123A; Idm: 900A; 68W; DFNW5
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 68W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 46nC
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.