NVMFS6H824NLT1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 158.49 грн |
| 10+ | 156.04 грн |
| 25+ | 153.60 грн |
| 100+ | 145.76 грн |
| 250+ | 132.79 грн |
| 500+ | 125.38 грн |
| 1000+ | 123.29 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS6H824NLT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS6H824NLT1G за ціною від 100.82 грн до 342.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFS6H824NLT1G | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 1484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVMFS6H824NLT1G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
на замовлення 23495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVMFS6H824NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVMFS6H824NLT1G | onsemi |
MOSFETs T8 80V LL SO8FL |
на замовлення 93 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| NVMFS6H824NLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 158.49 грн |
| 94+ | 156.04 грн |
| 96+ | 153.60 грн |
| 100+ | 145.76 грн |
| 250+ | 132.79 грн |
| 500+ | 125.38 грн |
| 1000+ | 123.29 грн |
| NVMFS6H824NLT1G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 23495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 221+ | 166.00 грн |
| 500+ | 157.46 грн |
| 1000+ | 148.92 грн |
| 10000+ | 134.18 грн |
| NVMFS6H824NLT1G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 295.98 грн |
| 10+ | 187.59 грн |
| 50+ | 145.58 грн |
| 100+ | 123.91 грн |
| NVMFS6H824NLT1G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 93 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 342.32 грн |
| 10+ | 183.43 грн |
| 100+ | 131.66 грн |
| 500+ | 113.61 грн |
| 1000+ | 100.82 грн |