Продукція > ONSEMI > NVMFS6H824NLWFT1G

NVMFS6H824NLWFT1G onsemi


nvmfs6h824nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H824NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H824NLWFT1G за ціною від 86.08 грн до 238.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS6H824NLWFT1G NVMFS6H824NLWFT1G ON Semiconductor nvmfs6h824nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+125.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1G NVMFS6H824NLWFT1G ON Semiconductor nvmfs6h824nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.15 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1G NVMFS6H824NLWFT1G onsemi nvmfs6h824nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.62 грн
10+150.25 грн
100+104.96 грн
500+86.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1G NVMFS6H824NLWFT1G onsemi nvmfs6h824nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1G nvmfs6h824nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+125.29 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1G nvmfs6h824nl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin DFNW EP T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
189+186.15 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1G nvmfs6h824nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 20A/110A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 116W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+238.62 грн
10+150.25 грн
100+104.96 грн
500+86.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NLWFT1G nvmfs6h824nl-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.