Продукція > ONSEMI > NVMFS6H824NT1G
NVMFS6H824NT1G

NVMFS6H824NT1G onsemi

nvmfs6h824n-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+52.25 грн
3000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H824NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 103A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 115W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMFS6H824NT1G за ціною від 46.52 грн до 185.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMFS6H824NT1G NVMFS6H824NT1G ONSEMI 2711438.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.46 грн
500+52.61 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G NVMFS6H824NT1G ON Semiconductor nvmfs6h824n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+109.19 грн
10+104.40 грн
25+97.93 грн
100+80.58 грн
250+73.87 грн
500+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G NVMFS6H824NT1G ON Semiconductor nvmfs6h824n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.19 грн
136+104.40 грн
145+97.93 грн
170+80.58 грн
250+73.87 грн
500+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G NVMFS6H824NT1G onsemi nvmfs6h824n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.10 грн
10+104.38 грн
100+71.33 грн
500+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G NVMFS6H824NT1G ONSEMI 2711438.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.15 грн
10+112.65 грн
100+77.46 грн
500+52.61 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G NVMFS6H824NT1G onsemi nvmfs6h824n-d.pdf MOSFETs T8 80V SO8FL NCH S
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.84 грн
10+118.34 грн
100+70.34 грн
500+56.25 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G 2711438.pdf
NVMFS6H824NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+77.46 грн
500+52.61 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G nvmfs6h824n-d.pdf
NVMFS6H824NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+109.19 грн
10+104.40 грн
25+97.93 грн
100+80.58 грн
250+73.87 грн
500+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G nvmfs6h824n-d.pdf
NVMFS6H824NT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 19A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
130+109.19 грн
136+104.40 грн
145+97.93 грн
170+80.58 грн
250+73.87 грн
500+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G nvmfs6h824n-d.pdf
NVMFS6H824NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 19A/103A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2470 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.10 грн
10+104.38 грн
100+71.33 грн
500+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G 2711438.pdf
NVMFS6H824NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H824NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 103 A, 0.0045 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+175.15 грн
10+112.65 грн
100+77.46 грн
500+52.61 грн
1000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H824NT1G nvmfs6h824n-d.pdf
NVMFS6H824NT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V SO8FL NCH S
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+185.84 грн
10+118.34 грн
100+70.34 грн
500+56.25 грн
1000+48.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.