Продукція > ONSEMI > NVMFS6H836NLT1G
NVMFS6H836NLT1G

NVMFS6H836NLT1G onsemi

nvmfs6h836nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+37.82 грн
3000+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H836NLT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H836NLT1G за ціною від 43.17 грн до 140.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFS6H836NLT1G NVMFS6H836NLT1G ON Semiconductor nvmfs6h836nld.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+133.12 грн
250+92.96 грн
500+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLT1G NVMFS6H836NLT1G onsemi nvmfs6h836nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+85.97 грн
50+64.81 грн
100+54.41 грн
500+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLT1G NVMFS6H836NLT1G onsemi nvmfs6h836nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLT1G nvmfs6h836nld.pdf
NVMFS6H836NLT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 16A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+133.12 грн
250+92.96 грн
500+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLT1G nvmfs6h836nl-d.pdf
NVMFS6H836NLT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 16A/77A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.30 грн
10+85.97 грн
50+64.81 грн
100+54.41 грн
500+43.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H836NLT1G nvmfs6h836nl-d.pdf
NVMFS6H836NLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.