
NVMFS6H852NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1500+ | 30.79 грн |
3000+ | 27.33 грн |
4500+ | 26.15 грн |
7500+ | 23.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS6H852NLWFT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS6H852NLWFT1G за ціною від 24.94 грн до 108.23 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMFS6H852NLWFT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 7431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVMFS6H852NLWFT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 79206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NVMFS6H852NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
NVMFS6H852NLWFT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
NVMFS6H852NLWFT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |