Продукція > ONSEMI > NVMFS6H852NLWFT1G
NVMFS6H852NLWFT1G

NVMFS6H852NLWFT1G onsemi

nvmfs6h852nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+28.17 грн
3000+25.01 грн
4500+23.93 грн
7500+21.32 грн
10500+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H852NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H852NLWFT1G за ціною від 21.25 грн до 98.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H852NLWFT1G NVMFS6H852NLWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h852nl-d.pdf MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.61 грн
10+52.22 грн
100+32.12 грн
500+29.35 грн
1000+27.83 грн
1500+24.30 грн
3000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLWFT1G NVMFS6H852NLWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h852nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.91 грн
10+60.15 грн
100+40.00 грн
500+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NLWFT1G NVMFS6H852NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h852nl-d.pdf Power, Single N-Channel MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.