Продукція > ONSEMI > NVMFS6H852NT1G
NVMFS6H852NT1G

NVMFS6H852NT1G onsemi

nvmfs6h852n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+39.77 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H852NT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H852NT1G за ціною від 32.76 грн до 95.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H852NT1G NVMFS6H852NT1G Виробник : onsemi nvmfs6h852n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.44 грн
10+71.33 грн
100+55.47 грн
500+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1G NVMFS6H852NT1G Виробник : onsemi NVMFS6H852N_D-2319671.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 280-289 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.77 грн
10+78.14 грн
100+52.90 грн
500+44.84 грн
1000+36.48 грн
1500+34.35 грн
3000+32.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h852n-d.pdf
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1G NVMFS6H852NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h852n-d.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H852NT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h852n-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 200A; 27W; DFN5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 27W
Case: DFN5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 13nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.