NVMFS6H864NLT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 31.25 грн |
| 3000+ | 27.79 грн |
| 4500+ | 26.62 грн |
| 7500+ | 23.74 грн |
| 10500+ | 23.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS6H864NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), FET Type: N-Channel.
Інші пропозиції NVMFS6H864NLT1G за ціною від 24.02 грн до 107.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFS6H864NLT1G | onsemi |
MOSFETs T8 80V LL SO8FL |
на замовлення 22517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NVMFS6H864NLT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFNQualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Packaging: Cut Tape (CT) Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads |
на замовлення 19273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVMFS6H864NLT1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFS6H864NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
MOSFETs T8 80V LL SO8FL
на замовлення 22517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.63 грн |
| 10+ | 51.68 грн |
| 100+ | 35.97 грн |
| 500+ | 29.34 грн |
| 1000+ | 27.89 грн |
| 1500+ | 26.09 грн |
| 3000+ | 24.02 грн |
| NVMFS6H864NLT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
на замовлення 19273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.95 грн |
| 10+ | 65.96 грн |
| 100+ | 44.05 грн |
| 500+ | 32.52 грн |
| NVMFS6H864NLT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


