Продукція > ONSEMI > NVMFS6H864NLWFT1G
NVMFS6H864NLWFT1G

NVMFS6H864NLWFT1G onsemi

NVMFS6H864NL_D-2319672.pdf Виробник: onsemi
MOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, 80 V, 29 m ohm, 22 A - NVMFS6H864NL DFN5 (Pb-Free, Wettable Flanks)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.32 грн
10+87.78 грн
100+59.37 грн
500+49.10 грн
1500+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H864NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H864NLWFT1G за ціною від 39.47 грн до 110.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H864NLWFT1G NVMFS6H864NLWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h864nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.35 грн
10+76.91 грн
100+53.19 грн
500+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h864nl-d.pdf
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h864nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLWFT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6h864nl-d.pdf NVMFS6H864NLWFT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NLWFT1G NVMFS6H864NLWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h864nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.