NVMFS6H864NT1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 30.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS6H864NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVMFS6H864NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0269 ohm, DFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 33W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: DFN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0269ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0269ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NVMFS6H864NT1G за ціною від 23.92 грн до 110.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFS6H864NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMFS6H864NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H864NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0269 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 33W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0269ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0269ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVMFS6H864NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFS6H864NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 21 A, 0.0269 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0269ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVMFS6H864NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMFS6H864NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET T8 80V SO8FL |
на замовлення 2793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
| NVMFS6H864NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
NVMFS6H864NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
NVMFS6H864NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| NVMFS6H864NT1G | Виробник : ONSEMI |
NVMFS6H864NT1G SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |