Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NVMFS6H864NWFT1G
NVMFS6H864NWFT1G

NVMFS6H864NWFT1G ON Semiconductor

nvmfs6h864n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H864NWFT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H864NWFT1G за ціною від 27.07 грн до 112.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS6H864NWFT1G NVMFS6H864NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h864n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+32.18 грн
3000+27.55 грн
4500+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NWFT1G NVMFS6H864NWFT1G Виробник : onsemi NVMFS6H864N_D-2319690.pdf MOSFET T8 80V SO8FL
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+90.66 грн
10+79.90 грн
100+54.24 грн
500+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NWFT1G NVMFS6H864NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h864n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A/21A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 53920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.08 грн
10+67.69 грн
100+45.70 грн
500+34.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS6H864NWFT1G NVMFS6H864NWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h864n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.