Продукція > ONSEMI > NVMFSW6D1N08HT1G

NVMFSW6D1N08HT1G onsemi

nvmfs6d1n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.37 грн
10+94.18 грн
100+73.27 грн
500+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFSW6D1N08HT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V.

Інші пропозиції NVMFSW6D1N08HT1G за ціною від 222.83 грн до 222.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFSW6D1N08HT1G Виробник : onsemi nvmfs6d1n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
179+222.83 грн
Мінімальне замовлення: 179
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSW6D1N08HT1G Виробник : ONSEMI nvmfs6d1n08h-d.pdf NVMFSW6D1N08HT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSW6D1N08HT1G Виробник : onsemi nvmfs6d1n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17A/89A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 120µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFSW6D1N08HT1G NVMFSW6D1N08HT1G Виробник : onsemi NVMFS6D1N08H_D-2319730.pdf MOSFET T8 80V 1 PART PROLI FERATI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.