Продукція > ONSEMI > NVMFWD010N10MCLT1G
NVMFWD010N10MCLT1G

NVMFWD010N10MCLT1G onsemi

nvmfd010n10mcl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 61A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+71.90 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWD010N10MCLT1G onsemi

Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 17A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 61A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVMFWD010N10MCLT1G за ціною від 70.34 грн до 227.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMFWD010N10MCLT1G NVMFWD010N10MCLT1G onsemi nvmfd010n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 61A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.23 грн
10+138.51 грн
100+96.12 грн
500+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD010N10MCLT1G NVMFWD010N10MCLT1G onsemi nvmfd010n10mcl-d.pdf MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.78 грн
10+146.71 грн
100+88.81 грн
500+75.42 грн
1000+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD010N10MCLT1G nvmfd010n10mcl-d.pdf
NVMFWD010N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 97µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 61A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 3.1W (Ta), 84W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+221.23 грн
10+138.51 грн
100+96.12 грн
500+76.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD010N10MCLT1G nvmfd010n10mcl-d.pdf
NVMFWD010N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+227.78 грн
10+146.71 грн
100+88.81 грн
500+75.42 грн
1000+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.