Продукція > ONSEMI > NVMFWD016N06CT1G
NVMFWD016N06CT1G

NVMFWD016N06CT1G onsemi

NVMFD016N06CD.PDF Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+72.43 грн
3000+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWD016N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWD016N06CT1G за ціною від 77.05 грн до 223.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWD016N06CT1G NVMFWD016N06CT1G Виробник : onsemi NVMFD016N06CD.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.34 грн
10+139.83 грн
100+96.95 грн
500+77.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD016N06CT1G NVMFWD016N06CT1G Виробник : onsemi NVMFD016N06CD.PDF MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.