Продукція > ONSEMI > NVMFWD016N06CT1G
NVMFWD016N06CT1G

NVMFWD016N06CT1G onsemi

NVMFD016N06CD.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.98 грн
10+150.47 грн
100+104.59 грн
500+79.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWD016N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual).

Інші пропозиції NVMFWD016N06CT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFWD016N06CT1G NVMFWD016N06CT1G onsemi NVMFD016N06CD.PDF Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD016N06CT1G NVMFWD016N06CT1G onsemi NVMFD016N06CD.PDF MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD016N06CT1G NVMFD016N06CD.PDF
NVMFWD016N06CT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9A 8DFN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.3mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 489pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD016N06CT1G NVMFD016N06CD.PDF
NVMFWD016N06CT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.