Продукція > ONSEMI > NVMFWD020N06CT1G
NVMFWD020N06CT1G

NVMFWD020N06CT1G onsemi


nvmfd020n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+70.67 грн
3000+64.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWD020N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWD020N06CT1G за ціною від 72.77 грн до 240.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWD020N06CT1G NVMFWD020N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd020n06c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.3mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.91 грн
10+137.19 грн
100+94.92 грн
500+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N06CT1G NVMFWD020N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd020n06c-d.pdf MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.86 грн
10+154.64 грн
100+93.34 грн
500+78.23 грн
1000+72.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.