Продукція > ONSEMI > NVMFWD020N10MCLT1G
NVMFWD020N10MCLT1G

NVMFWD020N10MCLT1G onsemi

nvmfd020n10mcl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Configuration: 2 N-Channel
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1500+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWD020N10MCLT1G onsemi

Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Configuration: 2 N-Channel.

Інші пропозиції NVMFWD020N10MCLT1G за ціною від 45.32 грн до 176.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMFWD020N10MCLT1G NVMFWD020N10MCLT1G onsemi nvmfd020n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.00 грн
10+96.59 грн
100+65.82 грн
500+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N10MCLT1G NVMFWD020N10MCLT1G onsemi nvmfd020n10mcl-d.pdf MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.79 грн
10+111.86 грн
100+66.68 грн
500+53.00 грн
1000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N10MCLT1G nvmfd020n10mcl-d.pdf
NVMFWD020N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3W (Ta), 54W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 35A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 789pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 48A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+157.00 грн
10+96.59 грн
100+65.82 грн
500+49.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD020N10MCLT1G nvmfd020n10mcl-d.pdf
NVMFWD020N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.79 грн
10+111.86 грн
100+66.68 грн
500+53.00 грн
1000+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.