Продукція > ONSEMI > NVMFWD024N06CT1G
NVMFWD024N06CT1G

NVMFWD024N06CT1G onsemi

nvmfd024n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+67.43 грн
3000+61.63 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWD024N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWD024N06CT1G за ціною від 61.28 грн до 226.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWD024N06CT1G NVMFWD024N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd024n06c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 28W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 333pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.6mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.54 грн
10+131.39 грн
100+90.74 грн
500+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD024N06CT1G NVMFWD024N06CT1G Виробник : onsemi NVMFD024N06C-D.PDF MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, DUAL SO8FL, 60 V, 22.6 mohm, 24 A
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.18 грн
10+145.14 грн
100+86.67 грн
500+72.61 грн
1000+62.11 грн
1500+61.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD024N06CT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd024n06c-d.pdf N Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD024N06CT1G Виробник : ONSEMI nvmfd024n06c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 24A; Idm: 85A; 14W; DFN8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.7nC
On-state resistance: 22.6mΩ
Power dissipation: 14W
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 24A
Drain-source voltage: 60V
Pulsed drain current: 85A
Case: DFN8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.