Продукція > ONSEMI > NVMFWD027N10MCLT1G
NVMFWD027N10MCLT1G

NVMFWD027N10MCLT1G onsemi

NVMFD027N10MCL-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+45.65 грн
3000+40.86 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWD027N10MCLT1G onsemi

Description: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWD027N10MCLT1G за ціною від 44.51 грн до 93.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFWD027N10MCLT1G NVMFWD027N10MCLT1G onsemi NVMFD027N10MCL-D.PDF Description: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.20 грн
10+65.44 грн
25+59.32 грн
100+49.34 грн
250+46.32 грн
500+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD027N10MCLT1G NVMFWD027N10MCLT1G onsemi NVMFD027N10MCL-D.PDF MOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26 mohm Wettable Flank option
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD027N10MCLT1G NVMFD027N10MCL-D.PDF
NVMFWD027N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.20 грн
10+65.44 грн
25+59.32 грн
100+49.34 грн
250+46.32 грн
500+44.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD027N10MCLT1G NVMFD027N10MCL-D.PDF
NVMFWD027N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs Dual N-Channel Power MOSFET 100 V, 28 A, 26 mohm Wettable Flank option
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.