Продукція > ONSEMI > NVMFWD027N10MCLT1G
NVMFWD027N10MCLT1G

NVMFWD027N10MCLT1G onsemi

NVMFD027N10MCL-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+46.61 грн
3000+41.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWD027N10MCLT1G onsemi

Description: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWD027N10MCLT1G за ціною від 45.44 грн до 95.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFWD027N10MCLT1G NVMFWD027N10MCLT1G onsemi NVMFD027N10MCL-D.PDF Description: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.15 грн
10+66.81 грн
25+60.57 грн
100+50.38 грн
250+47.30 грн
500+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD027N10MCLT1G NVMFWD027N10MCLT1G onsemi NVMFD027N10MCL-D.PDF MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD027N10MCLT1G NVMFD027N10MCL-D.PDF
NVMFWD027N10MCLT1G
Виробник: onsemi
Description: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta), 46W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta), 28A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.15 грн
10+66.81 грн
25+60.57 грн
100+50.38 грн
250+47.30 грн
500+45.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD027N10MCLT1G NVMFD027N10MCL-D.PDF
NVMFWD027N10MCLT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.