Продукція > ONSEMI > NVMFWD030N06CT1G
NVMFWD030N06CT1G

NVMFWD030N06CT1G onsemi

nvmfd030n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+64.82 грн
3000+58.78 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWD030N06CT1G onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual), Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWD030N06CT1G за ціною від 58.47 грн до 218.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWD030N06CT1G NVMFWD030N06CT1G Виробник : onsemi nvmfd030n06c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.2W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 19A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 255pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.7mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.35 грн
10+127.00 грн
100+87.50 грн
500+67.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1G NVMFWD030N06CT1G Виробник : onsemi NVMFD030N06C-D.PDF MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.43 грн
10+139.42 грн
100+83.64 грн
500+69.29 грн
1000+63.76 грн
1500+58.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfd030n06c-d.pdf Power, Dual N Channel, DUAL SO 8FL 60 V, 29.7 m, 19 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWD030N06CT1G Виробник : ONSEMI nvmfd030n06c-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 63A
Power dissipation: 11W
Case: DFN8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.