Продукція > ONSEMI > NVMFWS003N10MCT1G
NVMFWS003N10MCT1G

NVMFWS003N10MCT1G onsemi

nvmfws003n10mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V STD SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+300.52 грн
10+190.77 грн
100+134.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS003N10MCT1G onsemi

Description: PTNG 100V STD SO8FL HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 169A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 351µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS003N10MCT1G за ціною від 99.91 грн до 315.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS003N10MCT1G NVMFWS003N10MCT1G Виробник : onsemi nvmfws003n10mc-d.pdf MOSFETs PTNG 100V STD SO8FL HE
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.70 грн
10+205.06 грн
100+125.58 грн
500+112.40 грн
1000+107.54 грн
1500+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003N10MCT1G NVMFWS003N10MCT1G Виробник : onsemi nvmfws003n10mc-d.pdf Description: PTNG 100V STD SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23.7A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 351µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003N10MCT1G Виробник : ONSEMI nvmfws003n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 169A; Idm: 900A; 97W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 169A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 97W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.