Продукція > ONSEMI > NVMFWS003P03P8ZT1G
NVMFWS003P03P8ZT1G

NVMFWS003P03P8ZT1G onsemi

nvmfs003p03p8z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS003P03P8ZT1G onsemi

Description: PFET SO8FL -30V 3MO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V.

Інші пропозиції NVMFWS003P03P8ZT1G за ціною від 76.64 грн до 230.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS003P03P8ZT1G NVMFWS003P03P8ZT1G Виробник : onsemi nvmfs003p03p8z-d.pdf Description: PFET SO8FL -30V 3MO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.7A (Ta), 234A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 168.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12120 pF @ 15 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.23 грн
10+144.56 грн
100+100.51 грн
500+76.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003P03P8ZT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs003p03p8z-d.pdf Power MOSFET, Single P-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS003P03P8ZT1G Виробник : ONSEMI nvmfs003p03p8z-d.pdf NVMFWS003P03P8ZT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.