Продукція > ONSEMI > NVMFWS004N04XMT1G
NVMFWS004N04XMT1G

NVMFWS004N04XMT1G onsemi

NVMFWS004N04XM-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+33.25 грн
3000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS004N04XMT1G onsemi

Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 66A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 38W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.

Інші пропозиції NVMFWS004N04XMT1G за ціною від 37.01 грн до 122.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFWS004N04XMT1G NVMFWS004N04XMT1G onsemi NVMFWS004N04XM-D.PDF Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.90 грн
10+74.91 грн
100+50.07 грн
500+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N04XMT1G NVMFWS004N04XMT1G onsemi NVMFWS004N04XM-D.PDF MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N04XMT1G NVMFWS004N04XMT1G ONSEMI NVMFWS004N04XM-D.PDF Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N04XMT1G NVMFWS004N04XM-D.PDF
NVMFWS004N04XMT1G
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
на замовлення 5945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.90 грн
10+74.91 грн
100+50.07 грн
500+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N04XMT1G NVMFWS004N04XM-D.PDF
NVMFWS004N04XMT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS004N04XMT1G NVMFWS004N04XM-D.PDF
NVMFWS004N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS004N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 66 A, 4700 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 66A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 38W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.