NVMFWS004N10MCT1G onsemi
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.09 грн |
| 10+ | 267.37 грн |
| 100+ | 181.85 грн |
| 500+ | 152.69 грн |
| 1000+ | 87.47 грн |
| 1500+ | 79.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFWS004N10MCT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 138A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 48A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 164W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції NVMFWS004N10MCT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMFWS004N10MCT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 5DFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 138A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 164W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |