NVMFWS014N08XT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: POWERTRENCH T10 80V 13.8 M SO-8F
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SO-8FL
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 32µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.78 грн |
| 10+ | 44.35 грн |
| 100+ | 29.09 грн |
| 500+ | 21.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFWS014N08XT1G onsemi
Description: POWERTRENCH T10 80V 13.8 M SO-8F, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: SO-8FL, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 32µA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVMFWS014N08XT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFWS014N08XT1G | onsemi |
MOSFETs T10 80V SG SO8FL PWF |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFWS014N08XT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs T10 80V SG SO8FL PWF
MOSFETs T10 80V SG SO8FL PWF
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)

