Продукція > ONSEMI > NVMFWS015N10MCLT1G
NVMFWS015N10MCLT1G

NVMFWS015N10MCLT1G onsemi

nvmfs015n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.17 грн
10+77.24 грн
100+54.20 грн
500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS015N10MCLT1G onsemi

Description: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS015N10MCLT1G за ціною від 36.81 грн до 122.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS015N10MCLT1G NVMFWS015N10MCLT1G Виробник : onsemi 2EC42991D97DE2D1D0AE14063F3728B3EA8CAA634755FEEE07D57FD387F83D37.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 47.1A, 12.2mohm
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.95 грн
10+85.36 грн
100+52.24 грн
500+41.31 грн
1000+40.55 грн
1500+36.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS015N10MCLT1G NVMFWS015N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs015n10mcl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 10.5A Automotive 5-Pin SO-FL EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS015N10MCLT1G NVMFWS015N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs015n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS015N10MCLT1G Виробник : ONSEMI nvmfs015n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 47.1A; Idm: 259A; 23.8W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 47.1A
Pulsed drain current: 259A
Power dissipation: 23.8W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.