Продукція > ONSEMI > NVMFWS027N10MCLT1G
NVMFWS027N10MCLT1G

NVMFWS027N10MCLT1G onsemi


nvmfs027n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.41 грн
3000+27.89 грн
4500+26.69 грн
7500+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS027N10MCLT1G onsemi

Description: PTNG 100V LL SO8FL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS027N10MCLT1G за ціною від 25.39 грн до 110.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS027N10MCLT1G NVMFWS027N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs027n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL SO8FL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 38µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.35 грн
10+66.97 грн
100+44.55 грн
500+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS027N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs027n10mcl-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 28A, 26mohm Wettable Flank Option
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.32 грн
10+67.01 грн
100+39.78 грн
500+31.56 грн
1000+31.48 грн
1500+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.