Продукція > ONSEMI > NVMFWS0D4N04XMT1G
NVMFWS0D4N04XMT1G

NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi

nvmfws0d4n04xm-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+123.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 197W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS0D4N04XMT1G за ціною від 126.97 грн до 359.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS0D4N04XMT1G NVMFWS0D4N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d4n04xm-d.pdf MOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.93 грн
10+231.39 грн
100+142.93 грн
500+136.69 грн
1000+131.14 грн
1500+126.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G NVMFWS0D4N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d4n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.84 грн
10+230.01 грн
100+164.05 грн
500+136.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfws0d4n04xm-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G Виробник : ONSEMI nvmfws0d4n04xm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 509A; Idm: 900A; 197W; DFNW5
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 132nC
Power dissipation: 197W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 509A
Pulsed drain current: 900A
On-state resistance: 420µΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.