Продукція > ONSEMI > NVMFWS0D4N04XMT1G

NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi

Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 509 A, 0.42mohm DFNW6 (Pb-Free)

на замовлення 714 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	458.33 грн
10+	302.03 грн
100+	189.07 грн
500+	162.59 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 197W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS0D4N04XMT1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NVMFWS0D4N04XMT1G	Виробник : ON Semiconductor	NVMFWS0D4N04XMT1G	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G	Виробник : ON Semiconductor	Power MOSFET, Single N-Channel	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G	Виробник : ONSEMI	NVMFWS0D4N04XMT1G SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G	Виробник : onsemi	Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G	Виробник : onsemi	Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 197W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.