Продукція > ONSEMI > NVMFWS0D4N04XMT1G
NVMFWS0D4N04XMT1G

NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi

nvmfws0d4n04xm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+130.30 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS0D4N04XMT1G onsemi

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 197W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS0D4N04XMT1G за ціною від 126.77 грн до 389.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS0D4N04XMT1G NVMFWS0D4N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d4n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 519A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 197W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 330µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8550 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.39 грн
10+226.64 грн
100+161.57 грн
500+144.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d4n04xm-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 509 A, 0.42mohm DFNW6 (Pb-Free)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.35 грн
10+255.56 грн
100+158.08 грн
500+150.44 грн
1000+126.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfws0d4n04xm-d.pdf NVMFWS0D4N04XMT1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D4N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfws0d4n04xm-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.