Продукція > ONSEMI > NVMFWS0D5N04XMT1G
NVMFWS0D5N04XMT1G

NVMFWS0D5N04XMT1G onsemi

nvmfws0d5n04xm-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+139.31 грн
3000+126.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS0D5N04XMT1G onsemi

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 163W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS0D5N04XMT1G за ціною від 97.61 грн до 269.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS0D5N04XMT1G NVMFWS0D5N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d5n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.05 грн
10+217.84 грн
100+176.25 грн
500+147.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D5N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d5n04xm-d.pdf MOSFETs 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.18 грн
10+179.61 грн
100+118.53 грн
500+104.59 грн
1000+99.01 грн
1500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D5N04XMT1G Виробник : ONSEMI nvmfws0d5n04xm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 414A; Idm: 900A; 163W; DFNW5
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 97.9nC
Power dissipation: 163W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 414A
Pulsed drain current: 900A
On-state resistance: 520µΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.